[发明专利]一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法，具体处理包括如下步骤：101）制作金属柱步骤、102）制作空腔步骤、103）空腔处理步骤；本发明提供有利于后续的芯片粘接和接地，且本工艺制造流程简单，可以大大节省成本和制作时间的一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法。

主权项

1.一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）制作金属柱步骤：在载板上表面通过刻蚀工艺制作TSV孔，TSV孔深度小于载板厚度，在载板上表面通过沉积氧化硅、氮化硅或者直接热氧化形成绝缘层；再通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；接着通过电镀金属，使金属充满TSV孔，并在200到500度温度下密化金属形成金属柱，通过CMP工艺去除载板上表面的金属；102）制作空腔步骤：在载板上表面制作TSV孔的区域，进行干法刻蚀或湿法腐蚀空腔，空腔的深度小于TSV孔的深度，空腔的宽度大于TSV孔的区域；或者在载板下表面对应上表面制作TSV孔的区域，进行干法刻蚀或湿法腐蚀空腔，空腔的宽度大于TSV孔的区域；其中空腔内的绝缘层用湿法刻蚀的工艺去除，或者采用干法刻蚀的方法，使刻蚀之后露出金属材质；103）空腔处理步骤：用湿法刻蚀的工艺对空腔内的金属柱进行腐蚀，使空腔内的金属柱高度与空腔底部处于同一水平，且金属柱的一端露出；其中湿法刻蚀的液体包括氢氟酸，磷酸，硝酸，硫酸，盐酸，氨水，双氧水中的一种或多种。