[发明专利]下电极结构及反应腔室有效
| 申请号： | 201811539932.8 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109767968B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 崔咏琴 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种下电极结构，包括：底座；绝缘环，所述绝缘环放置于所述底座之上，且二者之间存在间隙；隔热环，所述隔热环完全嵌入在所述底座内；保护环，所述保护环位于所述底座与所述绝缘环之间的间隙内，且环绕在所述隔热环的外侧。保护环将隔热环与反应腔室隔断，从而能保护隔热环，使隔热环不会因接触到外部环境中的活性粒子而被刻蚀，提高了隔热环的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 反应 | ||
【主权项】：
1.一种下电极结构，其特征在于，包括：底座；绝缘环，所述绝缘环放置于所述底座之上，且二者之间存在间隙；隔热环，所述隔热环完全嵌入在所述底座内；保护环，所述保护环位于所述底座与所述绝缘环之间的间隙内，且环绕在所述隔热环的外侧，用于防止所述隔热环被刻蚀。
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