[发明专利]刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置在审
| 申请号： | 201811536491.6 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109655667A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 高凤海;费正洪;李栋 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 224431 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供的一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置，该方法通过在刻蚀后硅片的前表面的测试点输入预设电信号，并在背离前表面的背表面的测试点获取输出的电信号，以根据预设电信号和输出的电信号，计算出刻蚀后硅片的边缘电阻。本发明实施例提供的一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置，能够对所有刻蚀后的硅片进行测试，提高测试效率和测试数据的准确度，进而提高生产效率和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 测试方法及装置 硅片边缘 硅片 电阻 测试点 前表面 预设 边缘电阻 测试数据 测试效率 产品良率 生产效率 准确度 输出 背表面 背离 测试 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法，其特征在于，包括：硅片经刻蚀工艺后，在刻蚀后硅片的前表面的测试点输入预设电信号；获取背离所述前表面的背表面的测试点输出的电信号；根据所述预设电信号和所述输出的电信号，计算所述刻蚀后硅片的边缘电阻的测试阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司，未经盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811536491.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：表面电阻测试治具及测试方法
- 下一篇：导电装置动态接触电阻测试方法
