[发明专利]一种低掺杂硅电极的蚀刻液在审
| 申请号： | 201811512695.6 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109575923A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李少平;张庭;贺兆波;尹印;万杨阳;冯凯;王书萍 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;C23F1/24 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低掺杂硅电极的蚀刻液，其主要成分包括占蚀刻液总重量45‑65%的硫酸、1‑10%的硝酸、1‑10%的氟化铵、1‑10%的氯化铵、5‑52%的超纯水。本发明通过使用低含量的硝酸，可以降低整体的蚀刻速率；使用氟化铵代替氢氟酸，保证蚀刻速率稳定；加入氯化铵作为铵根离子的补充剂，在蚀刻过程中能够产生密集的小气泡，有利于控制硅电极表面的粗糙度。本发明的蚀刻液组成可以彻底去除研磨带来的损伤，蚀刻速率稳定、蚀刻表面均匀，且表面粗糙度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 蚀刻液 硅电极 低掺杂 氟化铵 氯化铵 硝酸 表面粗糙度 蚀刻表面 铵根离子 研磨 补充剂 超纯水 粗糙度 氢氟酸 小气泡 可控 去除 硫酸 损伤 保证 | ||
【主权项】：
1.一种低掺杂硅电极的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液主要组成包括占蚀刻液总重量45‑65%的硫酸、1‑10%的硝酸、1‑10%的氟化铵、1‑10%的氯化铵、5‑52%的水。
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