[发明专利]太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法有效

申请号：	201680083910.8	申请日：	2016-12-22
公开（公告）号：	CN108886068B	公开（公告）日：	2022-02-01
发明（设计）人：	东方田悟司;重松正人;松山谦太	申请（专利权）人：	松下知识产权经营株式会社
主分类号：	H01L31/0747	分类号：	H01L31/0747;H01L21/20;H01L21/265;H01L31/044
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明的太阳能电池，在n型硅衬底(1)上设置有低掺杂区域(11)、和具有比该n型低掺杂区域(11)高的n型掺杂浓度的第一主面侧高掺杂区域(12)。将第一主面侧高掺杂区域(12)配置在n型低掺杂区域(11)与p型非晶硅层(3)之间。
搜索关键词：	太阳能电池组件制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：第一导电型的硅衬底；和位于所述硅衬底的第一主面侧的第二导电型的非晶硅层，所述硅衬底具有：被掺杂成所述第一导电型的低掺杂区域；和第一主面侧高掺杂区域，该第一主面侧高掺杂区域设置于所述低掺杂区域与所述非晶硅层之间，且具有比所述低掺杂区域高的所述第一导电型的掺杂浓度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社，未经松下知识产权经营株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680083910.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：生产钙钛矿卤化物膜的方法
下一篇：晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块

同类专利

太阳能电池-202180088860.3
发明人：中屋敷宪太;张舒韵;蔡雅婷 -专利权人：瑞科斯太阳能源私人有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：一种太阳能电池，包含：结晶硅基板；半导体层，配置在基板的建构成当太阳能电池在使用时不面对辐射源的背面上；以及透明导电区域，配置在半导体层的表面上。其中透明导电区域包含；第一层，具有第一工作函数；以及第二层，具有第二工作函数且插置在第一层和半导体层之间；其中第二层的第二工作函数大于第一层的第一工作函数。

处理异质结光伏电池前体的方法-202180058445.3
发明人：阿诺德·金法克·莱奥加;乔迪·维尔曼 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明的一个方面涉及一种用于处理叠层(10’)的方法，所述叠层包括：‑晶体硅衬底(11)；‑氢化非晶硅的第一钝化层(14)，设置在所述衬底(11)的第一面(11a)上；和‑n掺杂非晶硅的第一层(12)，设置在所述第一钝化层(14)上；所述方法包括将所述叠层(10’)暴露于由电磁辐射源(40)发射的电磁辐射(20)的步骤，所述衬底(11)的第一面(11a)指向所述电磁辐射源(40)，所述电磁辐射(20)具有300nm和550nm之间的至少一个第一波长和550nm和1100nm之间的至少一个第二波长。

太阳能电池及太阳能电池模块-202180038458.4
发明人：马尔塞洛·舒托;安德莉亚·卡尼诺;朱塞佩·孔多雷利;科西莫·杰拉尔迪;安东尼奥·泰拉西;贾科莫·托里西;安娜·巴塔格里亚 -专利权人：三阳责任有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明涉及一种太阳能电池(1)，其包括由半导体材料制成的至少第一层(3，4’，4”，5，6)，用于从光辐射中吸收光子并释放电荷载体，以及至少一个导电层(2)，其与所述第一层(3，4’，4”，5，6)重叠，适于允许所述光辐射朝向所述第一层(3，4’，4”，5，6)进入到所述太阳能电池(1)并收集由所述第一层(3，4’，4”，5，6)释放的电荷载体，所述太阳能电池(1)的特征在于所述导电层(2)包括至少三个重叠层(21、22、23)，并且具体地：‑透明中间金属层(23)，由金属制成，和‑两个透明氧化层(21，22)，由导电氧化物制成，所述两个氧化层(21，22)分别是包围所述透明中间金属层(23)的内氧化层(21)和外氧化层(22)，以便为电荷提供低电阻路径，并使进入太阳能电池(1)的光辐射的量最大化。本发明还涉及包括所述太阳能电池(1)的太阳能电池模块。

用于生产具有钝化接触结构的硅太阳能电池的起始材料的方法和系统-202180022837.4
发明人：本杰明·曼德梅尔;西蒙·赫布纳;彼得·沃尔法特 -专利权人：新格拉斯科技集团
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明涉及一种用于生产具有钝化接触结构的硅太阳能电池的起始材料的方法和系统。

太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法-201880015651.4
发明人：矢野步;瀬能未奈都;难波伸 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能电池单元(10)包括：第1导电型的结晶性半导体的基板(20)；被设于基板(20)的一主表面的第1区域(W1)上的第1半导体层(21)；被设于一主表面的与第1区域(W1)不同的第2区域(W2)上的第2半导体层(22)；被设于第1半导体层(21)上的第1透明电极层(23)；以及被设于第2半导体层(22)上的第2透明电极层(24)。第1半导体层(21)包含第1导电型的第1非晶态半导体层(31)和从一主表面向第1透明电极层(23)延伸的第1结晶性半导体部(35)。第2半导体层(22)包含与第1导电型不同的第2导电型的第2非晶态半导体层(32)。

硅异质结太阳能电池以及制造方法-201780078069.8
发明人： P·劳佩;A·因杰尼托;C·巴利夫;G·诺加伊 -专利权人：洛桑联邦理工学院
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明涉及一种异质结太阳能电池以及制造方法，异质结太阳能电池包括第一电极层、具有第二电极层、光吸收硅层和钝化导电叠层，钝化导电叠层设置在光吸收硅层与第一电极层和第二电极层中的至少一方之间，钝化导电叠层包括至少一个掺杂硅基层和电子带隙大于1.4eV的宽带隙材料层，在光吸收硅层与掺杂硅基层之间的表面上施敷宽带隙材料层，以形成耐热异质结，耐热异质结被设置成在600℃以上的热处理之后至少保持钝化和导电特性，钝化导电叠层与光吸收硅层之间的界面具有非常陡峭的掺杂分布，光吸收硅层中的掺杂物的强度在离界面小于5nm的距离内衰减至少一个数量级，钝化导电叠层和热处理被配置成防止掺杂物从钝化导电叠层扩散到光吸收硅层。

太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块-201780036759.7
发明人：小西克典;中野邦裕;河崎勇人;吉河训太 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-05-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能电池单元(10)具备半导体基板(11)、配置于半导体基板(11)的一侧主面上的第1导电型层(12)和第2导电型层(13)，其中，在第1导电型层(12)上配置有第1电极(17)，在第2导电层(13)上配置有第2电极(18)，第1电极(17)与第2电极(18)电分离，在第1电极(17)与第2电极(18)之间配置有岛状的导电层(16)。

太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法-201680083910.8
发明人：东方田悟司;重松正人;松山谦太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明的太阳能电池，在n型硅衬底(1)上设置有低掺杂区域(11)、和具有比该n型低掺杂区域(11)高的n型掺杂浓度的第一主面侧高掺杂区域(12)。将第一主面侧高掺杂区域(12)配置在n型低掺杂区域(11)与p型非晶硅层(3)之间。

晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块-201780022310.5
发明人：足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能电池(100)具备：本征硅系薄膜(21)、导电型硅系薄膜(31)、受光面透明电极层(41)及受光面金属电极(71)，它们依次设置于晶体硅基板(1)的第一主表面上；本征硅系薄膜(22)、导电型硅系薄膜(32)、背面透明电极层(42)、及背面金属电极(72)，它们依次设置于晶体硅基板(1)的第二主表面上。晶体硅基板(1)在第一主表面及第二主表面具有纹理。受光面金属电极(71)及背面金属电极(72)均被设置成图案状。背面透明电极层(42)未设置于第二主表面的周缘。在第二主表面的周缘，与背面透明电极层(42)分离地设置有端部平坦化金属层(75)。

太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板及太阳能电池-202080024664.5
发明人：阿部祐介;吉田航;日野将志 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。

太阳能电池的制造方法-202080023700.6
发明人：中野邦裕 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明涉及太阳能电池的制造方法。即使在进行了制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池的制造方法，其包含：在半导体基板的背面侧的第一区域形成图案化的第一导电型半导体层以及剥离层的第一半导体层形成工序；在半导体基板的背面侧的第一区域的剥离层以及第二区域上形成第二导电型半导体层的材料膜的第二半导体层材料膜形成工序；及除去剥离层，由此在第二区域形成图案化的第二导电型半导体层的第二半导体层形成工序。在第二半导体层形成工序中使半导体基板的背面侧与蚀刻溶液的液面相对并与蚀刻溶液接触，在蚀刻溶液的液面上输送半导体基板。

光电转换装置的制造方法-201680075001.X
发明人：宇都俊彦;吉见雅士 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：在导电型单晶硅基板(1)上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板上形成本征硅系薄膜后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行使本征硅系薄膜的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理。等离子体处理时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍。

光电转换装置的制造方法-201680075334.2
发明人：宇都俊彦;足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：在晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板(1)上形成第一本征薄膜(121)后进行氢等离子体蚀刻。在氢等离子体蚀刻后的第一本征薄膜(121)上形成第二本征薄膜(122)，在其上形成导电型硅系薄膜(15)。第二本征薄膜(122)是一边向CVD腔室内导入含硅气体和氢一边通过等离子体CVD而形成的。第二本征薄膜(122)形成时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的50～500倍。

光电转换元件和光电转换元件的制造方法-201980052815.5
发明人：吉河训太;河崎勇人;小泉玄介 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：提供能够实现输出提高的光电转换元件。光电转换元件(1)包含：在半导体基板(11)的背面侧的一部分依次层叠有本征半导体层(23)和第一导电型半导体层(25)的第一区域(7)；以及在半导体基板(11)的背面侧的另一部分依次层叠有本征半导体层(33)和第二导电型半导体层(35)的第二区域(8)，在该背面接合型的光电转换元件中，第一区域(7)中的本征半导体层(23)的折射率比第二区域(8)中的本征半导体层(33)的折射率小。

太阳能电池单元的制造方法-201680058003.8
发明人：益子庆一郎;角村泰史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供一种太阳能电池单元的制造方法，其包括：在半导体基板(10)上形成导电性薄膜层(20)的第1工序；在导电性薄膜层(20)上形成绝缘膜(22)的第2工序；通过将绝缘膜(22)的一部分除去而形成导电性薄膜层露出部的第3工序；在导电性薄膜层露出部形成电镀覆膜(24)的第4工序；以及将不与电镀覆膜(24)重叠的区域的绝缘膜(22)和导电性薄膜层(20)除去的第5工序；其中，在第4工序中形成的电镀覆膜(24)以覆盖绝缘膜(22)的方式形成。

太阳能电池单元的制造方法-201680017598.2
发明人：益子庆一郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能电池单元的制造方法包括如下工序：在半导体层之上设置绝缘层(23)，其中，该半导体层被设置在半导体基板(10)的主面上的至少一部分；在绝缘层(23)之上设置掩模层(31)；利用激光照射来除去掩模层(31)的一部分而形成使绝缘层(23)露出的第一开口部(41)；利用蚀刻剂来除去在第一开口部(41)露出的绝缘层(23)而形成使半导体层露出的第二开口部。

太阳能电池以及具备该太阳能电池的电子设备-201980019951.4
发明人：宇津恒;市川满 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供在室外和室内这两种环境下都抑制太阳能电池的性能降低的太阳能电池。太阳能电池(1)具备光电转换基板(11)、配置于光电转换基板(11)的两个主面的每一个或光电转换基板(11)的一个主面的第一导电型半导体层(25)及第二导电型半导体层(35)、以及、与第一导电型半导体层(25)对应的第一电极层(27)及与第二导电型半导体层(35)对应的第二电极层(37)，在与偏离太阳能电池而配置的遮光部件(70)组合使用的太阳能电池中，在光电转换基板(11)的主面，具有与遮光部件(70)对应的特定区域(60)和特定区域(60)以外的非特定区域，特定区域(60)中的电阻中的串联电阻分量与非特定区域中的电阻中的串联电阻分量相比，为高电阻。

太阳能单电池和太阳能电池组件-201580062370.0
发明人：东方田悟司;神田雅央;汤川博喜 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能单电池(16)包括：n型单晶硅基片(22)；配置在n型单晶硅基片(22)的第1主面上的n型非晶硅层(26)；配置在n型非晶硅层(26)上的受光面电极(28)；配置在n型单晶硅基片(22)的第2主面上的p型非晶硅层(32)；和配置在p型非晶硅层(32)上的背面电极(34)，n型单晶硅基片(22)具有3.5～13Ωcm的范围的电阻率。能够在n型单晶硅基片(22)与n型非晶硅层(26)之间设置i型非晶硅层(24)，在n型单晶硅基片(22)与p型非晶硅层(32)之间设置另一i型非晶硅层(30)。

光电转换元件及其制造方法-201680053329.1
发明人：森健史;松本雄太;钱谷嘉高 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

太阳能电池的制造方法-201880086006.1
发明人：三岛良太;足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明高效地制造背结型太阳能电池。是包含晶体基板(11)的太阳能电池(10)的制造方法，包括第1工序～第5工序，第2工序中，对于p型半导体层(13p)，依次层叠形成第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，第4工序中，对于第3工序中残留的第2提离层(LF2)和没有p型半导体层(13p)的非形成区域，层叠形成n型半导体层(13n)，第5工序中，使用第1蚀刻溶液，除去第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，也除去在第2提离层(LF2)层叠的n型半导体层(13n)。而且，相对于第1蚀刻溶液的、p型半导体层(13p)、第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)的蚀刻速度满足特定的关系式。

光电转换装置的制造方法-201880042331.8
发明人：足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明涉及在导电型单晶硅基板(1)的第一主面上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池(100)的制造方法。在导电型单晶硅基板上形成本征硅系层后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行将本征硅系层的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理。等离子体处理时朝向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍，通过等离子体处理，在纹理的谷部的本征硅系层上形成薄膜。

光电转换元件-201680052868.3
发明人：国吉督章;东贤一;神川刚;原田真臣;酒井敏彦;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。

太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法-201780079486.4
发明人：渡部大树;山田裕之;瀬能未奈都;鹤田晋教 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：i型层(72)被形成在晶体半导体基板的一个表面侧。n型层(78)或p型层(74)被形成在i型层(72)上，且包含导电型的杂质。TCO(76)被形成在n型层(78)或p型层(74)上。比n型层(78)或p型层(74)中的远端部分(90)更靠近TCO(76)的近端部分(92)的密度小于远端部分(90)的密度。

太阳能电池及其制造方法-201680004706.2
发明人：河崎勇人;吉河训太;中野邦裕;小西克典;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能电池在晶体硅基板的第一主面上具有n型半导体层(6)及p型半导体层(7)。n型半导体层以横跨设置有p型半导体层的p型半导体层形成区域上的一部分和未设置p型半导体层的p型半导体层非形成区域的方式设置。在p型半导体层形成区域上的设置有n型半导体层的区域中，在p型半导体层和n型半导体层之间设置有保护层(8)。保护层具备与p型半导体层相接设置的基底保护层(8b)和设置于基底保护层上的绝缘层(8a)。基底保护层包含本征硅基层及n型硅基层的任一种。

太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法-201780058948.4
发明人：藤田和范;益子庆一郎;矢野步 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：作为实施方式的一例的太阳能单电池(10)的制造方法包括：在晶体硅晶片(11z)的一个主面上形成钝化层(12z)的工序；在钝化层(12z)上形成实质上本征的i型硅层(13z)的工序；使n型掺杂剂在钝化层(12z)、i型硅层(13z)和晶体硅晶片(11z)热扩散，在该晶片的各主面及其附近形成n⁺层(20)，并使i型硅层(13z)成为n型晶体硅层(13)的工序；和在形成了n⁺层(20)的晶体硅晶片(11z)(n型晶体硅晶片(11))的另一个主面侧形成p型非晶硅层(17)的工序。

晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法-201580053243.4
发明人：宇都俊彦;足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明的制造方法依次具有如下工序：在单晶硅基板(1)的表面上形成纹理的工序；利用臭氧清洗单晶硅基板的表面的工序；在单晶硅基板的纹理上制膜本征硅层(2)的工序；在本征硅层上制膜导电型硅层(3)的工序。制膜本征硅层前的单晶硅基板(1)的纹理大小低于5μm。优选纹理凹部的曲率半径低于5nm。制膜本征硅层的至少一部分之后、制膜导电型硅层之前，在以氢气为主成分的气体氛围中，对本征硅层进行等离子体处理。

太阳能电池以及太阳能电池模块-201780051332.4
发明人：吉河训太;河﨑勇人;吉田航 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：太阳能电池(100)在具有第一主面以及第二主面的矩形的半导体基板的第二主面具有第一导电型区域以及第二导电型区域。在半导体基板的第一方向中央区域(YC)中，沿着第二方向交替地配置有沿第一方向延伸的带状的第一导电型区域(111)和沿第一方向延伸的带状的第二导电型区域(112)。在第一方向端部区域(YE1、YE2)中，沿着第一方向交替地配置有沿第二方向延伸的带状的第一导电型区域(116a、118a)和沿第二方向延伸的带状的第二导电型区域(117a)，沿着第一方向配置有至少2个第一导电型区域。

太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法-201780048306.6
发明人：松山谦太;藤田和范;嶋田聪 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：实施方式的一例的太阳能单电池(10)包括：n型晶体硅晶片(12)，其在晶片的整个表面及其附近具有n型掺杂剂的浓度比其它区域高的n⁺层(12a)；含低浓度P的氧化硅层(13)，其形成于n型晶体硅晶片(12)的受光面(S1)上；n型晶体硅层(14)，其形成于含低浓度P的氧化硅层(13)上；p型非晶硅层(16)，其形成于n型晶体硅晶片(12)的背面侧。

晶体硅系太阳能电池、晶体硅系太阳能电池模块及它们的制造方法-201580022564.8
发明人：宇都俊彦;足立大辅;宇津恒 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)及图案集电极(11)，在第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。

太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池面板-201780031450.9
发明人：河崎勇人;吉河训太;中野邦裕;小西克典 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明所涉及的太阳能电池具备：导电型晶体硅基板(11)；和第一导电型硅系层(12)及第二导电型硅系层(13)，它们配置在导电型晶体硅基板(11)的一个主面上，第一导电型硅系层(12)与第二导电型硅系层(13)电绝缘，第二导电型硅系层(13)包括第一部分(13a)和第二部分(13b)，第一部分(13a)隔着第一本征硅系层(14)及第一导电型硅系层(12)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第二部分(13b)隔着第二本征硅系层(15)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第一本征硅系层(14)的厚度比第二本征硅系层(15)的厚度厚。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法有效

专利文献下载