[发明专利]电容器及其制造方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201811458504.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261774A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容器及其制造方法、半导体器件中，所述电容器包括下电极、位于所述下电极上的电容介质层以及位于所述电容介质层上的上电极。相比具有单一第一晶相的电容介质层，本发明提供的电容器的电容介质层的材料的晶相结构包括第一晶相及比第一晶相具有更高介电常数的第二晶相，使电容介质层整体介电常数增大，进而提升了电容器的电容量。进一步的，本发明提供一种电容器的制作方法，在下电极上形成电容介质层后，通过对所述电容介质层进行退火处理，以促使所述电容介质层中电介质晶相转换，进而增大电容介质层的介电常数，提升电容器的容量。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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