[发明专利]一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811453087.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109554674A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 商红静;丁发柱;古宏伟;董泽斌;黄大兴;许文娟;谢波玮;张华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所;国合通用测试评价认证股份公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的氧化镁(MgO)单晶固定在基片台上；调整碲化铋合金靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为120mm～140mm，调整碲单质靶与氧化镁单晶衬底之间的距离为110mm～150mm，抽真空至4×10‑4Pa～6×10‑4Pa；再对氧化镁(MgO)基片加热至320℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为1Pa～3Pa的条件下分别打开直流电源和射频电源，设置直流电源功率为20W～25W，射频电源功率为25W～40W，然后通过共溅射开始镀膜；最后对溅射的薄膜在350℃～450℃下退火处理，形成具有异质结构的碲化铋热电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化铋 热电薄膜 异质结构 氧化镁单晶 合金靶 氧化镁 衬底 制备 射频电源功率 直流电源功率 磁控溅射 工作气压 射频电源 退火处理 直流电源 氩气 抽真空 共溅射 碲单质 单晶 单质 镀膜 溅射 薄膜 加热 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以金属氧化物单晶作为衬底，将金属氧化物单晶固定在基底上，烘烤，得金属氧化物单晶基片；采用磁控溅射法进行双靶溅射，其中，一靶位采用碲化铋合金靶，电源选用直流电源，另一靶位采用单质靶，电源选用射频电源；将所得镀膜后的金属氧化物单晶基片进行退火处理，得到所述具有异质结构的碲化铋热电薄膜。
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