[发明专利]一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式在审
| 申请号： | 201811392396.3 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109541896A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 朱翔宇;张家伟;江富杰;李司元 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，包括以下步骤：将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；将浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；将晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗，将基底水洗后,使用氮气吹干或者旋干机进行旋干；将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。本发明采用干湿式相结合的方法可有效去除光阻，利用等离子体及引入紫外光的方式对残余光阻进行蚀刻，通过调节Ar气的气体流量比及紫外光的照度已达到有效去除残余光阻的目的，这样彻底消除因光阻残留对产品造成的光电性影响，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻 去除 涮洗 晶片 基底 紫外光 蚀刻制程 光阻液 浸泡 等离子体 蚀刻 无水乙醇溶液 等离子装置 超声浸泡 氮气吹干 气体流量 光电性 丙酮 吹干 放入 干式 良率 湿式 照度 残留 引入 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻制程中的新型去除光阻方式，其特征在于，包括以下步骤：(1)将需去除光阻的晶片置于去光阻液中浸泡30min～60min；(2)将浸泡后的晶片基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；(3)将晶片基底放入丙酮中涮洗,然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗，将基底水洗后,使用氮气吹干或者旋干机进行旋干；(4)将吹干的晶片置于等离子装置中采用干式方法去除残余光阻。
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