[发明专利]以多种半导体技术实施的多级功率放大器在审
申请号: | 201811312983.7 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN109756200A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | J·斯科鲁兹;E·克拉瓦克;吴宇庭;杨志宏;J·琼斯;M·博卡蒂斯;R·尤斯科拉 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F3/21;H03F3/68 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种多级放大器包括驱动级管芯和末级管芯。所述末级管芯包括III‑V半导体基板(例如,GaN基板)和第一晶体管。所述驱动级管芯包括另一类型的半导体基板(例如,硅基板)、第二晶体管,和电耦合到所述第一晶体管的控制端的一个或多个次级电路。连接(例如,焊线阵列或其它DC‑耦合式连接)电耦合于所述驱动级管芯的RF信号输出端和所述末级管芯的RF信号输入端之间。所述驱动级管芯的所述次级电路包括经由各种连接电连接到所述末级管芯的末级偏压电路和/或末级谐波控制电路。 | ||
搜索关键词: | 管芯 末级 驱动级 晶体管 半导体基板 次级电路 电耦合 多级功率放大器 谐波控制电路 半导体技术 多级放大器 耦合式连接 偏压电路 电连接 硅基板 输出端 输入端 焊线 | ||
【主权项】:
1.一种多级放大器,其特征在于,包括:第一管芯,其包括III‑V半导体基板、第一射频(RF)信号输入端、第一RF信号输出端和第一晶体管,其中所述第一晶体管具有电耦合到所述第一RF信号输入端的控制端,和电耦合到所述第一RF信号输出端的电流承载端;第二管芯,其包括第二类型的半导体基板、第二RF信号输入端、第二RF信号输出端、第一次级电路,以及所述第二RF信号输入端和所述第二RF信号输出端之间的放大路径,其中所述放大路径包括具有控制端和电流承载端的第二晶体管,所述第二晶体管的所述控制端电耦合到所述第二RF信号输入端,且所述第二晶体管的所述电流承载端电耦合到所述第二RF信号输出端,且其中所述第一次级电路电耦合到所述第一晶体管的所述控制端,且所述第一次级电路是选自末级偏压电路和末级谐波控制电路;以及第一连接,其电耦合于所述第二RF信号输出端和所述第一RF信号输入端之间。
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