[发明专利]以多种半导体技术实施的多级功率放大器在审

专利信息
申请号: 201811312983.7 申请日: 2018-11-06
公开(公告)号: CN109756200A 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: J·斯科鲁兹;E·克拉瓦克;吴宇庭;杨志宏;J·琼斯;M·博卡蒂斯;R·尤斯科拉 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H03F3/193 分类号: H03F3/193;H03F3/21;H03F3/68
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种多级放大器包括驱动级管芯和末级管芯。所述末级管芯包括III‑V半导体基板(例如,GaN基板)和第一晶体管。所述驱动级管芯包括另一类型的半导体基板(例如,硅基板)、第二晶体管,和电耦合到所述第一晶体管的控制端的一个或多个次级电路。连接(例如,焊线阵列或其它DC‑耦合式连接)电耦合于所述驱动级管芯的RF信号输出端和所述末级管芯的RF信号输入端之间。所述驱动级管芯的所述次级电路包括经由各种连接电连接到所述末级管芯的末级偏压电路和/或末级谐波控制电路。
搜索关键词: 管芯 末级 驱动级 晶体管 半导体基板 次级电路 电耦合 多级功率放大器 谐波控制电路 半导体技术 多级放大器 耦合式连接 偏压电路 电连接 硅基板 输出端 输入端 焊线
【主权项】:
1.一种多级放大器,其特征在于,包括:第一管芯,其包括III‑V半导体基板、第一射频(RF)信号输入端、第一RF信号输出端和第一晶体管,其中所述第一晶体管具有电耦合到所述第一RF信号输入端的控制端,和电耦合到所述第一RF信号输出端的电流承载端;第二管芯,其包括第二类型的半导体基板、第二RF信号输入端、第二RF信号输出端、第一次级电路,以及所述第二RF信号输入端和所述第二RF信号输出端之间的放大路径,其中所述放大路径包括具有控制端和电流承载端的第二晶体管,所述第二晶体管的所述控制端电耦合到所述第二RF信号输入端,且所述第二晶体管的所述电流承载端电耦合到所述第二RF信号输出端,且其中所述第一次级电路电耦合到所述第一晶体管的所述控制端,且所述第一次级电路是选自末级偏压电路和末级谐波控制电路;以及第一连接,其电耦合于所述第二RF信号输出端和所述第一RF信号输入端之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司,未经恩智浦美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811312983.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top