[发明专利]微波等离子体CVD装置及利用其合成金刚石的方法在审
| 申请号： | 201811252049.0 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111101113A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨竣焜 | 申请（专利权）人： | 六晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/511;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 俞立文;陆建萍 |
| 地址： | 中国香港新界白石角香港科*** | 国省代码： | 香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微波等离子体CVD装置，其包括：等离子体腔、波导、激励探头、微波窗以及基片支持台。本发明提供的微波等离子体CVD装置通过设置可移动的部件，便于调节等离子体腔内的阻抗，来最大化地吸收微波，使产生的等离子体远离石英窗，同时通过改变基片支持台附近的等离子体的形状使得等离子体和基片支持台之间的接触最大化、改变等离子体的能量密度或在生长时维持沉积基片与等离子体的相对位置。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 等离子体 cvd 装置 利用 合成 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于六晶科技有限公司，未经六晶科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811252049.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
