[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811087115.3 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109585417A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘中伟;黄冠达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于半导体装置中的层间介电层。在一例中，层间介电层位于基板上，并包含介电物。介电物的介电常数小于约3.3，且介电物的硬度为至少约3GPa。半导体装置亦包含内连线形成于层间介电层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 层间介电层 介电 介电常数 内连线 基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基板；一第一层间介电层，位于该基板上，其中，该第一层间介电层包括一第一介电物，该第一介电物的介电常数小于约3.3，且该第一介电物的硬度为至少约3GPa；以及一内连线，形成于该第一层间介电层中。
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