[发明专利]制造半导体封装的方法在审

专利信息
申请号: 201811080326.4 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN109686679A 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 安镇灿;金原永;黄敬善 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/78;H01L21/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种制造半导体封装的方法包括:作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片,管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性;在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片,并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装,单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息;基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类;以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。
搜索关键词: 分级 测试 单独封装 芯片安装区域 半导体封装 单独芯片 项目分类 项目信息 管芯电 拣选 晶片级测试 电路基板 结果获得 电特性 封装 制造 芯片 分类
【主权项】:
1.一种制造半导体封装的方法,所述方法包括:作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片,所述管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性;在电路基板的对应的芯片安装区域上封装所述单独芯片,并且基于所述芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装,所述单独封装的每个具有对应于所述测试分级项目的测试分级项目信息;基于所述测试分级项目信息根据所述测试分级项目对所述多个单独封装分类;以及测试根据所述测试分级项目分类的所述单独封装。
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