[发明专利]一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块在审
| 申请号： | 201811079007.1 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411464A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 梅云辉;张心印;李欣;陆国权 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/498;H01L23/15;H01L21/60 |
| 代理公司： | 天津一同创新知识产权代理事务所(普通合伙) 12231 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块；底板材料为镀镍的厚铜块或AlSiC，在所述底板上反向放置两块同样电路样式的陶瓷覆铜DBC基板；基板之间通过连接桥连接；两组IGBT芯片和续流二极管芯片并联支路组与基板互连；采用双层印刷变温预热焊膏的方法，芯片与DBC基板之间通过连续脉冲电流辅助无压烧结纳米银焊膏实现瞬时连接；烧结连接时间不大于15秒；再通过引线键合，真空回流二次焊接，安装管壳，填充密闭剂制备IGBT模块。与同等级的商业IGBT模块相比，本发明的IGBT模块具有良好的电气性能，更低的热阻和更优的散热特性，同时具有优异的抗热循环疲劳老化能力。 | ||
| 搜索关键词： | 焊膏 基板 纳米银 互连 快速烧结 无压 底板 连续脉冲电流 续流二极管 支路 底板材料 电路样式 电气性能 二次焊接 反向放置 老化能力 散热特性 陶瓷覆铜 无压烧结 芯片并联 循环疲劳 引线键合 真空回流 烧结 安装管 连接桥 密闭剂 预热 变温 镀镍 厚铜 两组 热阻 填充 制备 芯片 印刷 | ||
【主权项】：
1.一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块；其特征是底板材料为镀镍的厚铜块或AlSiC，在所述底板上反向放置两块同样电路样式的陶瓷覆铜DBC基板；基板之间通过连接桥连接；两组IGBT芯片和续流二极管芯片并联支路组与基板互连；采用双层印刷变温预热焊膏的方法，芯片与DBC基板之间通过连续脉冲电流辅助无压烧结纳米银焊膏实现瞬时连接；烧结连接时间不大于15秒；再通过引线键合，真空回流二次焊接，安装管壳，填充密闭剂制备IGBT模块。
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