[发明专利]形成氧化硅膜的方法和装置有效
| 申请号： | 201811062556.8 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109509698B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 高京硕;岛裕巳;木镰英司;菱屋晋吾 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H10B43/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氧化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法，所述方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置于减压下的处理容器内的状态；第二工序，在所述氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向所述被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将所述隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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