[发明专利]电子设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201811024966.3 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109904142B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 崔京洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子设备包括半导体存储器，其中所述半导体存储器包括：多个存储叠层，所述多个存储叠层在第一方向和第二方向上彼此相邻，所述第二方向与所述第一方向交叉；多个第一内衬层，所述多个第一内衬层覆盖在所述第二方向上彼此相邻的存储叠层的侧壁，所述多个第一内衬层在所述第二方向上延伸；多个第一气隙，所述多个第一气隙位于由所述第一内衬层覆盖的空间中，以及多个第二气隙，所述多个第二气隙位于在第一方向上彼此相邻的每对存储叠层之间，所述多个第二气隙在所述第二方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，其包括：半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：多个存储叠层，所述多个存储叠层在第一方向和第二方向上彼此相邻，所述第二方向与所述第一方向交叉；多个第一内衬层，所述多个第一内衬层覆盖在所述第二方向上彼此相邻的存储叠层的侧壁，所述多个第一内衬层在所述第二方向上延伸；多个第一气隙，所述多个第一气隙位于由所述第一内衬层覆盖的空间中；以及多个第二气隙，所述多个第二气隙位于在所述第一方向上彼此相邻的每对存储叠层之间，所述多个第二气隙在所述第二方向上延伸。
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