[发明专利]非易失性存储装置及其编程方法有效
| 申请号： | 201811010904.7 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109493905B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 沈相元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于减少热载流子注入(HCI)的非易失性存储装置以及所述非易失性存储装置的编程方法。根据一个方面，所述非易失性存储装置的编程方法包括：在从多个存储单元中的与串选择晶体管相邻的上部存储单元到与地选择晶体管相邻的下部存储单元的方向上对包括在单元串中的存储单元进行编程；当对选定存储单元进行编程时，将第一禁止电压施加到第一未选定字线，所述第一未选定字线连接到位于所述选定存储单元之上的第一未选定存储单元；以及当在施加第一禁止电压之后经过了预定时间段时，将第二禁止电压施加到第二未选定字线，所述第二未选定字线连接到位于所述选定存储单元之下的第二未选定存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置的编程方法，所述非易失性存储装置包括多个单元串，所述多个单元串中的每一个包括竖直堆叠在衬底上的多个存储单元，所述编程方法包括步骤：在包括在单元串中的所述多个存储单元中的选定存储单元上施加编程电压；将第一禁止电压施加到第一未选定字线，所述第一未选定字线连接到该单元串中的位于所述选定存储单元之上的第一未选定存储单元；以及将第二禁止电压施加到第二未选定字线，所述第二未选定字线连接到该单元串中的位于所述选定存储单元之下的第二未选定存储单元，其中，在从施加所述第一禁止电压开始的预定延迟时间之后施加所述第二禁止电压。
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