[发明专利]一种P型半导体石墨烯的制备方法

摘要

本发明属于半导体制备领域，公开了一种P型半导体石墨烯的制备方法，本发明使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备P型半导体石墨烯，由以下步骤组成：将清洗干净并烘干过的特定基底放在反应台面上；将反应气体和硼源与H2混合气依次通入反应室，控制反应条件，即可获得掺杂硼的P型半导体石墨烯。本发明使用MPCVD法制备P型半导体石墨烯，将硼源与部分氢气混合通入反应舱室中，使得硼源在舱室中分布更加均匀，在石墨烯上掺杂的均一性更易控制，从而获得更高品质的P型半导体石墨烯，且工艺更加环保，可实现大规模工业化应用。

主权项

1.一种P型半导体石墨烯的制备方法，其特征在于，所述的P型半导体石墨烯的制备方法由以下步骤组成：S01：将清洗干净并烘干过的特定基底放在反应台面上，然后抽真空，并通入Ar气保护气体；S02：激发微波调节微波发射器至第一反应功率，并升温至第一反应温度，调节反应腔体压强，依次通入H2和CH4，控制H2和CH4的气流量，反应0.1‑20min，形成部分石墨烯薄膜；S03：通入混合有一定体积浓度硼源气体和H2的混合气体，调节混合气体总流速，并控制反应温度至第二反应温度，调节微波发射功率至第二反应功率，反应0.5‑30min，即可获得掺杂硼的P型半导体石墨烯；S04：依次关闭CH4和H2，微波发射器，继续通入氩气，并在一定的退火温度下降温，降温时间为10min‑300min，然后自然冷却，直至反应舱室降到室温为止，即可取出。