[发明专利]一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810929912.5 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109065716B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 宋宇浩;次会聚;陈奕丞;袁余涵;李东阳;李伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“高氧化的a‑TSC:O薄膜/低氧化的a‑TSC:O薄膜”的介质层结构，拓宽了神经突触器件介质层材料的选择范围。由于a‑TSC:O薄膜的阻变性能大范围可调，并且本征a‑TSC陶瓷薄膜的导电性良好且具有近红外波段透明的特性，因此不仅使得a‑TSC:O薄膜具备良好的阻变性能，可用作神经突触器件的介质层，并且，可将本征a‑TSC陶瓷薄膜作为顶电极材料与透明导电薄膜形成的顶电极共同构建近红外全透明神经突触器件。此外，本发明提出神经突触器件的制备工艺简单、成本低廉、可靠性高，有利于实现大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 神经突 陶瓷薄膜 薄膜 变性 本征 制备 透明导电薄膜 导电性 顶电极材料 介质层材料 介质层结构 近红外波段 光电器件 开关器件 制备工艺 低氧化 顶电极 高氧化 介质层 全透明 透明的 构建 可调 可用 | ||
【主权项】：
1.一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的神经突触器件，所述神经突触器件自下而上为“底电极/第一阻变层/第二阻变层/顶电极”垂直四层结构，其特征在于：第一阻变层和第二阻变层均为氧化的非晶TSC薄膜，并且作为第一阻变层的非晶TSC薄膜中的氧含量高于作为第二阻变层的非晶TSC薄膜中的氧含量，所述底电极为ITO薄膜。/n
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