[发明专利]阻变存储器件的制备方法及阻变存储器件在审
| 申请号： | 201810896709.2 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110828658A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 郭万国;蒋秉轩;宋海洋;王宽冒;高晓丽;刘菲菲 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器件制备方法和阻变存储器件。包括在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；将所述阻变材料层进行退火处理。通过诸如磁控溅射技术等工艺沉积得到包含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层，能够很好地保持材料的化学计量比，通过退火处理改善了所形成的阻变材料层的缺陷状态，提高了阻变存储器件的转变一致性。此外，阻变存储器件具有存储窗口宽、数据保持时间长、耐久性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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