[发明专利]一种高透光ZAO导电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZAO透明导电薄膜的制备方法，采用自制的外加Al₂O₃质量百分比含量为2％的ZAO靶材。再使用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZAO薄膜，以氩气为溅射气体，本体真空度为2～4×10^‑4Pa，溅射压强0.4～0.9pa，溅射功率为80～120W，溅射时间为45～60min，基片温度为80～120℃，ZAO薄膜沉积后，在200～400℃下退火2～3h。本发明解决了ZAO薄膜光电性能不易同时满足的问题，制备出表面光滑结晶良好的ZAO薄膜，在可见光范围内(400～760nm)，其平均透光率在80％以上，且ZAO薄膜导电性高，具有良好的应用前景。

主权项

1.一种高透光ZAO导电薄膜的制备方法，具有如下步骤：(1)ZAO靶材制备采用ZnO和Al2O3为原料，在ZnO的基础上，外加质量百分比含量为2％的Al2O3，按照常规制备工艺进行制备：配比称料→球磨混料→加粘合剂造粒→干压成型→冷等静压→坯体烧结→机械打磨。(2)采用射频磁控溅射法制备ZAO透明导电薄膜在射频磁控溅射设备中，采用步骤(1)制备的ZAO靶材作为阴极溅射靶材，放入磁控溅射腔体；以玻璃为衬底基片，使用无水乙醇，利用超声波清洗衬底25分钟，并使用红外干燥设备进行干燥处理后放入磁控溅射腔体，靶材与基片的距离为40mm；将本体真空度抽至2～4×10‑4Pa，缓慢充入氩气作为溅射气体；具体参数为：溅射过程中氩气的压强为0.4～0.9pa，溅射功率为80～120W，溅射时间为45～60min，加热基片至80～120℃；ZAO薄膜沉积后，在200～400℃下退火2～3h。