[发明专利]基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置有效
| 申请号： | 201810738861.8 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109037434B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 闵泰;周雪;张林;王蕾 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置，装置涉及到一种可以作为自由磁性层的多层膜结构，即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置作为自由磁性层可以通过电场调控，实现反铁磁态到铁磁态的转变，该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的自由磁性层，其靠近磁性隧道结势垒层的铁磁层在电场与电流的共同作用下进行翻转，从而实现数据的写入。所述基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置，通过电场和电流的共同作用达到写入数据的目的，结构简单，具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 人工 反铁磁 自由 隧道 器件 磁性 随机 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种人工反铁磁装置，其特征在于，包括：第一层铁磁层、第二层铁磁层以及位于所述第一层铁磁层与第二层铁磁层之间的非磁性间隔层，所述第一层铁磁层、第二层铁磁层和非磁性间隔层构成第一层铁磁层‑非磁性间隔层‑第二层铁磁层的堆叠结构，所述堆叠结构即为人工反铁磁装置；所述人工反铁磁装置处于反铁磁态，将人工反铁磁装置置于电场中，电场调控所需的电压在0.1V‑15V范围内；所述人工反铁磁装置实现反铁磁态到铁磁态的转变；去掉电场，所述人工反铁磁装置由铁磁态退回到反铁磁态，即可以通过电场调控其反铁磁态与铁磁态的转变。
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