[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应电极

摘要

本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于10nm。采用本发明的金属氧化物叠层场效应电极，具有光透过率高、场致导电性能好的优点。

主权项

1.一种金属氧化物叠层场效应电极，其特征在于，包括：金属氧化物叠层薄膜和多个金属条；所述金属氧化物叠层薄膜包括第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜和第三金属氧化物薄膜；所述第二金属氧化物薄膜的下表面设置在所述第一金属氧化物薄膜的上表面上，所述第三金属氧化物薄膜的下表面设置在所述第二金属氧化物薄膜的上表面上；所述多个金属条排列设置在所述第一金属氧化物薄膜的下表面上；相邻两个所述金属条之间存在间距；所述第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；所述第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与所述第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；所述第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与所述第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；所述第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜、所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于10nm。