[发明专利]一种GaAs基外延片的固态扩锌方法在审
申请号: | 201810676838.0 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108878273A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 朱振;张新;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 潍坊华光光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 杨树云 |
地址: | 261061 山东省潍坊市奎文区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种GaAs基外延片的固态扩锌方法,在GaAs外延片上设置ZnO薄膜作为锌源进行锌扩散。所述的ZnO薄膜是通过溅射方式设置在所述GaAs外延片上的。所述锌扩散所处的温度为450‑550℃,锌扩散的的气氛为惰性气体,优选的,所述惰性气体为氮气。本发明的锌扩散源为ZnO薄膜,固态源,扩散过程的重复性及一致性较好。本发明采用溅射方法制备ZnO薄膜时,会在外延层表面形成一个损伤层,在进行锌扩散时,锌原子可以顺着这些损伤缺陷很容易进入外延层。本发明使用MOCVD反应室进行锌扩散,热传递方式为热传导,使外延片温度变化很快,整个外延片的温度均匀性很好,从而使扩散的均匀性及一致性很好。 | ||
搜索关键词: | 外延片 锌扩散 惰性气体 溅射 氮气 热传递方式 外延层表面 温度均匀性 扩散 方式设置 锌扩散源 固态源 均匀性 热传导 损伤层 外延层 锌原子 锌源 优选 制备 损伤 | ||
【主权项】:
1.一种GaAs基外延片的固态扩锌方法,其特征在于,在GaAs外延片上设置ZnO薄膜作为锌源进行锌扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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