专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种掺氮氧化薄膜的制备方法-CN201110287076.3有效
  • 刘键;饶志鹏;万军;夏洋;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-09-23 - 2012-01-04 - C23C16/40
  • 本发明涉及氧化制备的技术领域,具体涉及一种掺氮氧化薄膜的制备方法。所述制备方法,包括:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入含锌源气体,含锌源气体中的原子吸附在硅衬底上;以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中输送氢气,同时进行等离子体放电;向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源,未与氮原子反应的原子与含氧源中的氧原子形成氧键;重复上述步骤即可逐层生长含氮原子的氧化薄膜。本发明利用ALD设备对氧化薄膜进行氮掺杂,该方法简单易行,利用原子层沉积单层循环生长的特点,在氧化薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中掺杂氮原子,使得掺杂后的薄膜结构完整,性能显著。
  • 一种氧化锌薄膜制备方法
  • [发明专利]含锌植入器械-CN201811593337.2在审
  • 齐海萍 - 先健科技(深圳)有限公司
  • 2018-12-25 - 2020-07-03 - A61L31/02
  • 本发明涉及一种含锌植入器械,包括含锌的基体以及覆盖所述含锌的基体的至少部分表面的缓蚀层,缓蚀层包括缓蚀剂,缓蚀剂选自含氧杂原子的杂环类化合物、含氧杂原子的杂环类化合物衍生物、含氮杂原子的杂环类化合物、含氮杂原子的杂环类化合物衍生物、含硫杂原子的杂环类化合物、含硫杂原子的杂环类化合物衍生物、含磷杂原子的杂环类化合物及含磷杂原子的杂环类化合物衍生物中的至少一种。含锌植入器械植入体内后,发生腐蚀产生离子,缓蚀剂可以和离子形成络合物,络合物附在的至少部分表面形成致密保护层,从而减缓的腐蚀速度,降低离子浓度,降低含锌植入器械的生物学风险。
  • 含锌植入器械
  • [发明专利]氧化系透明导电膜-CN201380066128.1有效
  • 中田邦彦;堀田翔平 - 住友化学株式会社
  • 2013-12-12 - 2017-03-01 - H01B5/14
  • 氧化系透明导电膜,其为包含锌原子、氧原子、以及以下定义的M的氧化系透明导电膜,相对于构成该膜的总原子数,原子数与氧原子数与钛原子数与镓原子数与铝原子数的合计为99%以上,相对于该膜中包含的原子数、钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数,钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数的比例((钛原子数+镓原子数+铝原子数)/(原子数+钛原子数+镓原子数+铝原子数)×100)为1.3%以上且2.0%以下,相对于该膜中包含的钛原子数、镓原子数和铝原子数的合计原子数,钛原子数至少为50%,载流电子浓度为3.60×1020cm‑3以下、迁移率为43.0cm2/Vs以上、以及电阻率为5.00×10‑4Ω・M钛原子、钛原子和镓原子、钛原子和铝原子、或者、钛原子和镓原子和铝原子
  • 氧化锌透明导电
  • [发明专利]一种含锌单原子催化剂及其制备方法与应用-CN202010475821.6有效
  • 范梁栋;徐括峰 - 深圳大学
  • 2020-05-29 - 2021-05-11 - H01M4/88
  • 本发明公开一种含锌单原子催化剂及其制备方法与应用。本发明以2‑甲基咪唑盐(ZIF8)为前躯体,先经低温煅烧得到中间体,然后对低中间体进行刻蚀(和负载),最后进行高温煅烧制备含锌单原子催化剂。该方法具有以下优势:工艺简单可控,无需严格控制含量,无需采用载体材料;高温煅烧前的低温煅烧和刻蚀可有效防止原子团聚;得到的纯原子催化剂的催化活性好、稳定性高,且具有较好的抗毒化能力;得到的负载型含锌单原子催化剂可进一步提高纯原子催化剂的催化活性或满足不同催化体系的要求
  • 一种含锌原子催化剂及其制备方法应用
  • [发明专利]一种氮化薄膜的制备方法-CN201210545142.7有效
  • 解婧;李超波;夏洋 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-12-14 - 2014-06-18 - C23C16/34
  • 本发明公开了一种氮化薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;(2)向原子层沉积设备反应腔中通入含锌前驱体源,含锌前驱体源中的原子吸附于衬底表面;(3)向原子层沉积设备反应腔中通入含氮前驱体源,然后通过等离子体将含氮前驱体源电离,或将经过等离子体电离的含氮前驱体源通入原子层沉积设备反应腔中,电离后含氮前驱体源中的氮原子部分沉积,与衬底表面的原子形成氮共价键;(4)重复所述步骤(2)和步骤(3)即可逐层生长氮化薄膜。本发明通过等离子体将氮源引入原子层沉积系统,再通过调控腔室温度、真空度、循环周期、等离子体条件等条件,获得带隙可调控的各种优质氮化薄膜。
  • 一种氮化薄膜制备方法

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