[发明专利]层间膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种层间膜的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有半导体器件的图形结构的半导体衬底；步骤二、在图形间隔区的底部表面和侧面及图形间隔区外的图形结构的表面形成第一绝缘层；步骤三、形成第二绝缘层将图形间隔区完全填充并延伸到所述图形间隔区外；步骤四、以图形结构为停止层对第二绝缘层和第一绝缘层进行化学机械研磨并形成由填充于图形间隔区中的第一和第二绝缘层叠加而成的层间膜。本发明能使图形间隔区顶部的层间膜表面的碟状缺陷降低或消除，提高整个层间膜的平坦性以及提高半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种层间膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有半导体器件的图形结构，各所述图形结构之间的区域为图形间隔区；步骤二、形成第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于所述图形间隔区的底部表面和侧面并延伸到所述图形间隔区外的所述图形结构的表面；步骤三、形成第二绝缘层，所述第二绝缘层将形成有所述第一绝缘层的所述图形间隔区完全填充并延伸到所述图形间隔区外的所述第一绝缘层的表面，所述第二绝缘层的顶部表面不平整且在所述图形间隔区顶部的表面高度低于所述图形间隔区外部的表面高度；步骤四、以所述图形结构为停止层对所述第二绝缘层和所述第一绝缘层进行化学机械研磨并形成由填充于所述图形间隔区中的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层叠加而成的层间膜；所述第一绝缘层的材质选用在进行化学机械研磨时的研磨速率大于所述第二绝缘层的材质，当研磨到所述第一绝缘层的表面时，所述图形间隔区区域外开始对所述第一绝缘层进行研磨而所述图形间隔区区域依然保持对所述第二绝缘层进行研磨，使所述图形间隔区区域外的研磨速率大于所述图形间隔区区域内的研磨速率，从而使所述图形间隔区顶部的碟状缺陷降低或消除。