[发明专利]浮栅的制备方法及半导体结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种浮栅的制备方法及半导体结构的制备方法，首先在所述衬底上形成第一浮栅多晶硅层，所述第一浮栅多晶硅层覆盖所述衬底，接着在所述第一浮栅多晶硅层上热生长氧化硅层以形成第二浮栅多晶硅层，所述氧化硅层覆盖所述第二浮栅多晶硅层，最后去除所述氧化硅层。由于在热生长所述氧化硅层时，会消耗所述第一浮栅多晶硅层中的硅，导致所述第一浮栅多晶硅层减薄，进而在后续工艺中形成的浮栅的厚度也减小了，在不影响正常的生产流程、不增加制造成本的基础上提高了编程及擦除的效率，并且，采用热生长的氧化硅层表面的平整度和均一性都较好，消耗的第一浮栅多晶硅层的厚度比较均匀，使得到的第二浮栅多晶硅层的表面的平整度和均一性高。

主权项

1.一种浮栅的制备方法，其特征在于，所述浮栅的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一浮栅多晶硅层，所述第一浮栅多晶硅层覆盖所述衬底；在所述第一浮栅多晶硅层上热生长氧化硅层以形成第二浮栅多晶硅层，所述氧化硅层覆盖所述第二浮栅多晶硅层；去除所述氧化硅层。