[发明专利]浮栅的制备方法及半导体结构的制备方法

说明书

本发明提供了一种浮栅的制备方法及半导体结构的制备方法，首先在所述衬底上形成第一浮栅多晶硅层，所述第一浮栅多晶硅层覆盖所述衬底，接着在所述第一浮栅多晶硅层上热生长氧化硅层以形成第二浮栅多晶硅层，所述氧化硅层覆盖所述第二浮栅多晶硅层，最后去除所述氧化硅层。由于在热生长所述氧化硅层时，会消耗所述第一浮栅多晶硅层中的硅，导致所述第一浮栅多晶硅层减薄，进而在后续工艺中形成的浮栅的厚度也减小了，在不影响正常的生产流程、不增加制造成本的基础上提高了编程及擦除的效率，并且，采用热生长的氧化硅层表面的平整度和均一性都较好，消耗的第一浮栅多晶硅层的厚度比较均匀，使得到的第二浮栅多晶硅层的表面的平整度和均一性高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种浮栅的制备方法及半导体结构的制备方法。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。

现有的闪存器件是以掺杂多晶硅制作浮栅与控制栅，浮栅用于存储数据，控制栅用于控制浮栅，其编程和擦除的效率都有待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种浮栅的制备方法及半导体结构的制备方法，以提高闪存器件的编程和擦除的效率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种浮栅的制备方法，所述闪存的制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一浮栅多晶硅层，所述第一浮栅多晶硅层覆盖所述衬底；

在所述第一浮栅多晶硅层上热生长氧化硅层以形成第二浮栅多晶硅层，所述氧化硅层覆盖所述第二浮栅多晶硅层；

去除所述氧化硅层。

可选的，所述第一浮栅多晶硅层较所述第二浮栅多晶硅层厚。

可选的，所述第一浮栅多晶硅层的厚度大于等于300埃，所述第二浮栅多晶硅层小于等于150埃。

可选的，在所述第一浮栅多晶硅层上热生长所述氧化硅层的温度在750摄氏度-1100摄氏度之间。

可选的，采用湿法清洗以去除所述氧化硅层。

可选的，所述湿法清洗采用的溶液包括氢氟酸。

可选的，所述衬底与所述第一浮栅层之间还形成有一介质层。

可选的，所述介质层的材料包括氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅中的一种或多种。

可选的，所述衬底的材料包括硅、锗硅、砷化镓及绝缘体上硅中的一种或多种。

本发明还提供了一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构的制备方法包括：

采用所述浮栅的制备方法形成浮栅。

发明人通过研究发现，随着闪存器件中闪存单元的进一步减小，闪存单元中浮栅和控制栅的接触面积也在减小，导致控制栅耦合到浮栅的电压变小，进而影响编程的效率，进一步，由于结构的调整，闪存单元的控制栅和字线之间不能加过高的电压，导致在擦除时，浮栅和字线之间的电压差也在变小，进而影响擦除的效率。发明人通过进一步研究，发现可以通过减薄浮栅的厚度，提高控制栅对浮栅的耦合比并且降低字线对浮栅的耦合比，进而在不增大闪存尺寸的同时提高其编程及擦除的效率。