[发明专利]一种基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池

摘要

本发明公开了一种基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池，其基本结构包括：纯β放射源提供载能β粒子，慢化体将纯β放射源释放的高能β粒子慢化获得低能β粒子，碳化硅PIN结器件吸收纯β放射源的衰变能并将其转化为电能，电池外壳保护电池内部结构并屏蔽未能利用的载能β粒子和次生γ射线。碳化硅是目前商业化发展成熟的第三代宽禁带半导体材料，它具有禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、载流子饱和速率大、抗辐照性能优越等特性。研究表明：基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池是微机电系统理想的微型电源。

主权项

1.一种基于碳化硅PIN结型β辐射伏特效应核电池，其特征在于包括纯β放射源(1)，慢化体(2)，碳化硅PIN结器件内部依次层叠设置为正面环形欧姆接触电极层(3)、二氧化硅钝化层(4)、P型高掺杂碳化硅层(5)、碳化硅本征层(6)、碳化硅缓冲层(7)、N型高掺杂碳化硅层(8)、单晶硅衬底层(9)、背欧姆接触电极层(10)，电池外壳(11)及其可拆卸部分(12)。