[发明专利]一体化硅压阻式传感器芯片在审
| 申请号： | 201810575252.5 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108627287A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 谭志平;陈建波;莫婵娟 | 申请（专利权）人： | 上海天沐自动化仪表有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京七夏专利代理事务所(普通合伙) 11632 | 代理人： | 王晓丰 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子机械系统及压力传感器技术领域，具体的讲涉及一体化硅压阻式传感器芯片,所述压力传感器和加速度传感器一体化集成在单晶硅同一表面，所述压力传感器包括由下至上依次设置有硅压阻式压力传感器基本体、压力感应膜片、二氧化硅埋层、压敏电阻、绝缘层和金属层，所述金属层上设置有增稳层；所述加速度传感器与压力传感器结构相同，且压力感应膜片上设置有两个背腔及两背腔中间的质量块，所述质量块对应的金属层和增稳层设置为通孔，本发明通过在压敏电阻上方位置设置的增稳层从而降低由于芯片表面的静电荷和内部界面上的固定电荷对传感器输出造成的影响，从而使胎压监视准确性高。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 金属层 硅压阻式传感器 加速度传感器 压力感应膜 压敏电阻 质量块 背腔 绝缘层 芯片 微电子机械系统 压力传感器技术 压力传感器结构 二氧化硅埋层 单晶硅 一体化集成 一体化 固定电荷 硅压阻式 上方位置 同一表面 芯片表面 依次设置 基本体 静电荷 传感器 胎压 通孔 监视 输出 | ||
【主权项】：
1.一体化硅压阻式传感器芯片，所述压力传感器(100)和加速度传感器(200)一体化集成在单晶硅同一表面，其特征在于：所述压力传感器(100)包括由下至上依次设置有硅压阻式压力传感器基本体(1)、压力感应膜片(2)、二氧化硅埋层(3)、压敏电阻(4)、绝缘层(5)和金属层(6)，所述金属层(6)上设置有增稳层(7)；所述加速度传感器(200)与压力传感器(100)结构相同，且压力感应膜片(2)上设置有两个背腔(9)及两背腔(9)中间的质量块(8)，所述质量块(8)对应的金属层(6)和增稳层(7)设置为通孔(10)。
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