[发明专利]一种高介电常数的含联三吡啶单元的聚酰亚胺金属络合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201810536700.0 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108659221B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 彭信文;钟鸣;孔梦乐;侯豪情 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 张建新 |
| 地址： | 330000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高储能的含联三吡啶单元的聚酰亚胺金属络合物及其制备方法。过渡金属离子数与联三吡啶结构单元数比值为1:2，本发明与现有技术相比，聚酰亚胺络合物具有更高的介电常数40～140(100Hz)，其介电损耗小于0.04，本发明用含联三吡啶单元的聚酰胺酸溶液与过渡金属盐或盐溶液易络合，涂膜，然后亚胺化成聚酰亚胺络合物，克服了高介电常数聚酰亚胺复合材料中分布不均匀、与聚酰亚胺基体不相容性以及机械柔韧性降低等不足。本发明制备的含联三吡啶单元的聚酰亚胺络合物相比对应的含联三吡啶单元的聚酰亚胺，其热学性能和力学性能都得到大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 含联三 吡啶 单元 聚酰亚胺 金属 络合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高介电常数的含联三吡啶单元的聚酰亚胺金属络合物，具有如下式(1)所示的结构：![]()
其中，A为过渡金属元素，n和m是联吡啶结构单元数，且n、m为大于2的正整数，过渡金属离子数与联吡啶结构单元数比值为1:2～1:8。
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