[发明专利]一种提高Zr元素固溶度的钐钴磁体及方法有效

专利信息
申请号: 201810527477.3 申请日: 2018-05-29
公开(公告)号: CN108777202B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 蒋成保;徐成;张天丽;王慧;刘敬华;张明;王敬东;蔡明光 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H01F1/055 分类号: H01F1/055;H01F41/02;C21D1/18;C21D6/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 安丽;贾玉忠
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种提高Zr元素固溶度的钐钴磁体及方法,通过调节固溶温度为Tst=1248‑4*WFe(%)±3℃,抑制富Zr第二相的析出,通过Zr元素取代高温1:7H相中哑铃位Fe‑Fe原子对,使钐钴磁体主相1:7H的c/a收缩率高于1%,提高高温相1:7H结构的稳定性,在Tst温度固溶后磁体固溶态为单相1:7H相。在Tst温度固溶的单相1:7H磁体,富Zr析出相含量低于1vol.%,优化了磁体的性能及退磁曲线的方形度,能够用于制备不同铁含量成分的钐钴磁体。
搜索关键词: 钐钴磁体 固溶 固溶度 析出 退磁曲线 元素取代 第二相 方形度 高温相 固溶态 收缩率 析出相 哑铃 主相 制备 优化
【主权项】:
1.一种提高Zr元素固溶度的钐钴磁体,其特征在于:钐钴磁体的表达式为Sm(Co1‑u‑v‑wFeuCuvZrw)z,其中u=0.1~0.36,v=0.06~0.10,w=0.02~0.04,z=6.8~8.0;在所述钐钴磁体制备过程的热处理工艺中,最佳固溶温度的选择为Tst=1248‑4*WFe(%)±3℃,其中WFe为磁体成分中Fe元素的质量分数。
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