[发明专利]分栅式闪存及其形成方法、控制方法

摘要

本发明涉及分栅式闪存及其形成方法、控制方法，所述分栅式闪存包括分开布置有第一存储区和第二存储区的半导体衬底以及在第一存储区和第二存储区之间形成的字线结构，所述字线结构包括沿半导体衬底表面依次叠加的字线氧化层、读栅、介质氧化层和擦除栅，其中读栅和擦除栅均可以作为所述分栅式闪存的字线以执行读操作和擦除操作，在执行擦除操作时，施加在擦除栅上的电压对下方半导体衬底的影响较低，有利于降低半导体衬底内沟道区的漏电流，从而字线氧化层的厚度可以相应地减小，有利于减小漏电流，抑制短沟道效应，并且擦除栅仅涉及字线的一部分，从而相对于传统的分栅式闪存，擦除栅和浮栅之间的耦合系数减小，可以提高擦除效率。

主权项

1.一种分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底内分开布置有第一存储区和第二存储区；以及，在所述第一存储区和所述第二存储区之间形成的字线结构，所述字线结构包括沿所述半导体衬底表面依次叠加的字线氧化层、读栅、介质氧化层和擦除栅。