[发明专利]一种屏蔽增强周期结构有效
申请号: | 201810474220.6 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN108659245B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 黄贤俊;刘继斌;刘培国 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | C08J7/044 | 分类号: | C08J7/044;C09D101/00;C09D133/00;C09D7/61;C09D7/63;C09D7/43;C09D5/24;C09D5/23;D21H19/38;D21H19/52;D21H19/56;D21H19/46;C08L27/06;C08L79/08 |
代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 周晓艳;张文君 |
地址: | 410073 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供一种屏蔽增强周期结构,包括设置在支撑衬底上的单层结构或至少两组层叠设置的单层结构,所述单层结构为由石墨烯基磁性导电复合材料制作成的带阻型周期结构;相邻两组单层结构之间设有中间隔离层;以质量分数计所述石墨烯基磁性导电复合材料包括以下组分:石墨烯0.1‑50%、磁性材料0.1‑50%、粘结剂0‑40%、功能性助剂0‑40%以及余量的溶剂。应用本发明的技术方案,效果是:便于制作,且可获得高屏蔽效果产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 屏蔽 增强 周期 结构 | ||
【主权项】:
1.一种屏蔽增强周期结构,其特征在于,该屏蔽增强周期结构包括设置在支撑衬底上的单层结构或至少两组层叠设置的单层结构,所述单层结构为由石墨烯基磁性导电复合材料制作成的带阻型周期结构;相邻两组单层结构之间设有中间隔离层;以质量分数计所述石墨烯基磁性导电复合材料包括以下组分:石墨烯0.1‑50%、磁性材料0.1‑50%、粘结剂0‑40%、功能性助剂0‑40%以及余量的溶剂。
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