[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件在审
| 申请号： | 201810450545.0 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108321267A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 吴俊德;李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一空穴提供层，空穴提供层为氮化铟镓InxGa1‑xN(0 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体 半导体发光元件 空穴 主族元素 发光层 活化 掺杂 氮化铟镓 发光效率 有效作用 基板 配置 配合 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一第一型掺杂半导体层；一发光层，包括一多重量子井结构；一第二型掺杂半导体层，其中所述发光层配置在所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；一AlGaN基础的(AlGaN based)第二型载子阻隔层，配置于所述第二型掺杂半导体层与所述发光层之间，且所述多重量子井结构包括交替堆叠的多个GaN基础的阻障层以及多个InGaN基础的井层；以及一InGaN基础的电洞提供层，配置于所述发光层与所述AlGaN基础的第二型载子阻隔层之间，所述InGaN基础的电洞提供层中掺杂有浓度大于1017cm‑3的四族元素。
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