[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810438334.5 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN109326675A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张宪裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/102 | 分类号： | H01L31/102;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置包括管状结构，包括彼此相叠的多个介电层与导体层；导体尖端，与位于管状结构的上表面上的盖导体层整体地形成，其中导体尖端延伸至管状结构的中心孔；以及至少一光检测器，形成于管状结构的底部中。 | ||
| 搜索关键词： | 管状结构 半导体装置 导体尖端 导体层 光检测器 介电层 上表面 中心孔 相叠 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一管状结构，包括彼此相叠的多个介电层与导体层；一导体尖端，与位于该管状结构的上表面上的一盖导体层整体地形成，其中该导体尖端延伸至该管状结构的一中心孔；以及至少一光检测器，形成于该管状结构的底部中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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