[发明专利]间接式的平板探测器及制作方法有效
| 申请号： | 201810374577.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108389643B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;陈叠峰;田鹏程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G21K4/00 | 分类号： | G21K4/00;H05K9/00;G01T1/164;G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曹娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了间接式的平板探测器及制作方法。该间接式的平板探测器包括：成像单元、位于成像单元上用于提供偏置电压的偏压导电层、位于偏压导电层上的第一防静电层，第一防静电层通过第一绝缘层与偏压导电层相绝缘，第一防静电层包括第一透明导电层。在本发明实施例提供的平板探测器中，在偏压导电层上设置第一防静电层，且通过第一绝缘层实现该第一防静电层与偏压导电层之间相互绝缘，防止该第一防静电层与偏压导电层之间相互短路；并且该第一防静电层用于将在该第一防静电层上产生的静电导向大地，避免了静电通过偏压导电层导入成像单元，从而对成像单元的成像效果产生干扰的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 间接 平板 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种间接式的平板探测器，包括：成像单元、位于所述成像单元上用于提供偏置电压的偏压导电层；其特征在于，还包括：位于所述偏压导电层上的第一防静电层，所述第一防静电层通过第一绝缘层与所述偏压导电层相绝缘，所述第一防静电层包括第一透明导电层。
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