[发明专利]三维半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201810373132.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108735760B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 金光浩;柳志桓;曹升铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;赵南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括在衬底的第一区上竖直地堆叠在彼此的顶部上的电极；竖直结构，其穿过堆叠结构，并且包括第一半导体图案；数据存储层，其位于第一半导体图案与电极中的至少一个之间；晶体管，其位于衬底的第二区上；以及第一接触件，其耦接至晶体管。第一接触件包括第一部分和第一部分上的第二部分。第一部分和第二部分中的每一个的直径随着与衬底相距的竖直距离增大而增大。第一部分的上部的直径大于第二部分的下部的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体存储器装置，包括：衬底；所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述衬底的第一区上竖直地堆叠在彼此的顶部上的电极；竖直结构，其穿过所述堆叠结构，所述竖直结构包括第一半导体图案；数据存储层，其位于所述第一半导体图案与所述电极中的至少一个电极之间；晶体管，其位于所述衬底的第二区上；以及第一接触件，其耦接至所述晶体管，所述第一接触件包括第一部分和所述第一部分上的第二部分，所述第一部分和所述第二部分中的每一个的直径随着与所述衬底相距的竖直距离增大而增大，并且所述第一部分的上部的直径大于所述第二部分的下部的直径。
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