[发明专利]一种白光发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810371709.0 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108767071B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 魏晓骏;郭炳磊;李鹏;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种白光发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。包括衬底，以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、第一MoS2、第二MoS2层和P型层，有源层包括交替生长的InxGa1‑xN阱层和GaN垒层，0.1≤x≤0.18，电子和空穴在有源层中复合发出蓝色可见光，第一MoS2层为本征MoS2层，电子和空穴在第一MoS2层中复合发出红色可见光，第二MoS2层为掺O的MoS2层，电子和空穴在第二MoS2层中复合发出绿色可见光，则LED最终可发出白光，无需使用荧光粉。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 源层 白光发光二极管 外延片 复合 衬底 荧光粉 半导体技术领域 红色可见光 蓝色可见光 绿色可见光 交替生长 依次层叠 缓冲层 未掺杂 白光 本征 垒层 阱层 制备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种白光发光二极管外延片，所述白光发光二极管外延片包括衬底，以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，所述有源层包括交替生长的InxGa1‑xN阱层和GaN垒层，0.1≤x≤0.18，所述白光发光二极管外延片还包括设置在所述有源层和所述P型层之间的第一MoS2层和第二MoS2层，所述第一MoS2层为本征MoS2层，所述第二MoS2层为掺O的MoS2层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810371709.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
