[发明专利]一种适用于高频光电导衰减法测量半导体级单晶硅少子寿命的预处理方法在审
| 申请号： | 201810365224.0 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108549003A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 高召帅;张天雨;姜浩;李福中;于跃;吴锋 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;B24B37/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于高频光电导衰减法测量半导体级单晶硅少子寿命的预处理方法，包括以下步骤：(1)将单晶硅棒加工成圆柱形；(2)将步骤(1)得到的单晶硅棒进行化学抛光；(3)冲洗完成化学抛光的单晶硅棒，干燥。本发明提供的预处理方法可以有效消除因硅棒的边界效应和表面复合效应引起的少子寿命的测量误差，使测量结果更能真实反映单晶硅棒晶体结构和深能级金属含量的实际情况。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅棒 预处理 少子寿命 单晶硅 测量半导体 化学抛光 光电导 衰减法 边界效应 表面复合 晶体结构 深能级 硅棒 冲洗 测量 金属 加工 | ||
【主权项】：
1.一种适用于高频光电导衰减法测量半导体级单晶硅少子寿命的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将单晶硅棒加工成圆柱形；(2)将步骤(1)得到的单晶硅棒进行化学抛光；(3)冲洗完成化学抛光的单晶硅棒，干燥。
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