[发明专利]一种半导体激光器热沉的制备方法在审
| 申请号： | 201810324378.5 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108565672A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李旭光 | 申请（专利权）人： | 无锡奥夫特光学技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器热沉的制备方法，属于半导体技术领域。先清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；再制备金属层；接着进行去光刻胶处理；进行第二次光刻处理；然后镀制金锡合金层；再次进行去光刻胶处理；将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。本发明采用氧化铍或高热导率的氮化铝陶瓷作为基片，其热导率均大于200mW/K；在基片上镀制利于散热的金属层，进一步提高热沉的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 热沉 半导体激光器 光刻胶 制备 金属层 镀制 半导体技术领域 氧化铍陶瓷基片 氮化铝陶瓷 高热导率 金锡合金 切割分离 清洗烘干 散热效果 一次光刻 氮化铝 热导率 氧化铍 散热 次光 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤2、将步骤1所得的产品制备金属层；步骤3、将步骤2所得的产品进行去光刻胶处理；步骤4、进行第二次光刻处理；步骤5、将步骤4所得的产品镀制金锡合金层；步骤6、再次进行去光刻胶处理；步骤7、将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。
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