[发明专利]利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法有效
| 申请号： | 201810315132.1 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108531857B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陆小力;姚会娟;王涛;黄玉瑶;吴飞虎;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;C30B23/00;C30B29/32;C30B29/64 |
| 代理公司： | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法，主要解决现有技术调控铁电材料铁电性能耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长单晶钛酸钡薄膜；2.在钛酸钡薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去氧化镁薄膜；3.将钛酸钡薄膜转移到后续所需的柔性衬底上，再固定在凸模或凹模上，通过改变凸模或凹模的曲率半径使得钛酸钡薄膜发生连续应变，实现钛酸钡薄膜剩余极化与矫顽场的连续变化，从而改善其铁电性质。本发明通过弯曲应力连续调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场，耗能小，且不增加器件尺寸，可用于制作柔性电场强度传感器及存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸钡薄膜 剩余极化 矫顽场 钛酸钡单晶 薄膜 弯曲形变 凹模 衬底 耗能 凸模 聚甲基丙烯酸甲酯 脉冲激光沉积技术 硫酸铵溶液 氧化镁薄膜 存储器 技术调控 连续调控 铁电材料 铁电性能 铁电性质 弯曲应力 氧化镁做 牺牲层 钛酸锶 传感器 调控 单晶 可用 旋涂 生长 制作 | ||
【主权项】：
1.一种利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法，包括：/n(1)在钛酸锶衬底上生长镧锶锰氧薄膜：/n将钛酸锶衬底、镧锶锰氧靶材和钛酸钡靶材放入脉冲激光沉积系统的反应室中，对反应室抽真空；/n向反应室中通入氧气，使反应室的氧压维持在0.01mbar～0.2mbar，设定激光器的能量密度为0.94J/cm
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