[发明专利]InGaN量子点的外延生长方法及其应用有效
| 申请号： | 201810299704.1 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108598223B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 江灵荣;田爱琴;刘建平;张书明;池田昌夫;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;吕颖 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaN量子点的外延生长方法，其包括步骤：A、在外延生长装置中，在衬底上依次叠层生长n型GaN层、第一GaN垒层和InGaN阱层；B、在InGaN阱层上制作GaN量子点；C、以GaN量子点为掩膜，刻蚀InGaN阱层，在GaN垒层上获得InGaN量子点；D、生长GaN盖层；E、在GaN盖层上生长第二GaN垒层，获得InGaN量子点外延结构。本发明通过制作GaN量子点，并以该GaN量子点作为掩膜来制作InGaN量子点的方法，可在衬底上制备获得尺寸均匀且可控的InGaN量子点；由此，以基于上述获得的InGaN量子点的InGaN量子点外延结构作为发光层而形成的发光器件，可具有更小的发光半宽。本发明还公开了一种具有上述外延生长方法获得的InGaN量子点外延结构的发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 外延结构 外延生长 垒层 发光器件 衬底 盖层 掩膜 生长 制作 外延生长装置 发光层 可控的 叠层 刻蚀 制备 发光 应用 | ||
【主权项】：
1.一种InGaN量子点的外延生长方法，其特征在于，包括步骤：S1、将衬底置于外延生长装置中，在所述衬底上叠层生长n型GaN层和第一GaN垒层；S2、在所述第一GaN垒层上生长InGaN阱层；S3、在所述InGaN阱层上制作GaN量子点；S4、以所述GaN量子点为掩膜，于600℃～700℃下热处理所述InGaN阱层，未被所述GaN量子点覆盖的InGaN阱层发生热分解，在所述GaN垒层上获得所述InGaN量子点；S5、在所述第一GaN垒层、GaN量子点上生长GaN盖层；S6、在所述GaN盖层上生长第二GaN垒层，获得InGaN量子点外延结构。
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