[发明专利]具有紫外线光接收元件的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及具有紫外线光接收元件的半导体装置及其制造方法。第一和第二半导体光接收元件（1a）、（1b）具备：形成于N型的半导体基板（11）的第一P型半导体区域（21）、形成在第一P型半导体区域（21）内的第二N型半导体层区域（22）、形成在第一P型半导体区域（21）内的高浓度的P型半导体区域（23）、以及设置在第二N型半导体层区域（22）内的高浓度的N型半导体区域（24），在半导体基板（11）上设置有绝缘氧化膜（31）。在第一和第二半导体光接收元件（1a）、（1b）中形成有不同的膜厚的绝缘氧化膜（31）。

主权项

1.一种具有紫外线光接收元件的半导体装置，具备第一半导体光接收元件和第二半导体光接收元件，所述半导体装置的特征在于，所述第一半导体光接收元件具备第一光电二极管，所述第一光电二极管具有由形成于半导体基板的第一个第一导电型半导体区域和形成在所述第一个第一导电型半导体区域内的第二个第二导电型半导体区域构成的PN结，所述第二半导体光接收元件具备第二光电二极管，所述第二光电二极管具有与所述第一光电二极管相同的结构，所述第一半导体光接收元件在所述第一光电二极管上具有膜厚为50nm~90nm的第一绝缘氧化膜，所述第二半导体光接收元件在所述第二光电二极管上具有膜厚比所述第一绝缘氧化膜的膜厚薄20~40nm的第二绝缘氧化膜。