[发明专利]微发光元件、微发光二极管及其转印方法有效
| 申请号： | 201810229801.3 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108364971B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 丁绍滢;范俊峰;李佳恩;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的微发光元件、微发光二极管及其转印方法，其中微发光元件包括若干个微发光二极管、具有容置微发光二极管的凹槽的基架、用于连接微发光二极管和基架的桥臂，若干个大于等于1，在微发光二极管位于桥臂一侧的上表面具有高于桥臂的凸起，或者与微发光二极管连接的桥臂上表面具有凸起，以解决转印过程中印刷印模易压断桥臂转印微发光二极管的问题，提高微发光二极管的转印良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 发光二极管 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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