[发明专利]存储器及其制造方法、半导体器件

摘要

本发明提供一种存储器及其制造方法、半导体器件，在第一基底上形成多层金属互连层，形成一中介导接层体在多层金属互连层中最顶层的金属互连层上，并使中介导接层体与最顶层的金属互连层电性连接，之后提供形成有电容结构的第二基底，连接中介导接层体至所述第二基底，以使电容结构通过中介导接层体与多层金属互连层连接，最后去除第一基底，由此能够避免直接在电容结构上形成互连结构时存在的平坦化问题，由此提高各层金属互连层的平坦度，并且能够避免在现有技术中最后形成的顶层金属互连层由于光刻或填充等问题造成的空洞，提高最终形成的半导体器件的产品性能、成品率及可靠性。

主权项

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供一第一基底，所述第一基底上形成有多层金属互连层；形成一中介导接层体在所述多层金属互连层中最顶层的金属互连层上，所述中介导接层体具有多个柱状且相互分离的金属层，并使所述中介导接层体的所述金属层与所述最顶层的金属互连层电性连接；提供一第二基底，所述第二基底上形成有电容结构；以及，连接所述中介导接层体至所述第二基底，以使所述电容结构通过所述中介导接层体与所述多层金属互连层连接，并去除所述第一基底。