[发明专利]一种抗单粒子加固的分频器电路有效
申请号: | 201810176140.2 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN108418578B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 陈卓俊;胡袁源 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 常玉明 |
地址: | 410082 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明适用于分频器技术领域,提供了一种抗单粒子加固的分频器电路。该分频器包括:加固的D触发器和加固的与非门。相较于现有技术,本发明通过对时序逻辑电路和组合逻辑电路进行加固,提高了分频器电路的抗单粒子效应能力。D触发器包括时钟输入电路、DCVSL型主锁存器、DCVSL型从锁存器、Quatro型数据存储单元和Muller‑C型输出缓冲单元,其中DCVSL型主锁存器、DCVSL型从锁存器和Muller‑C型输出缓冲单元均采用双模冗余加固,从而提高时序逻辑电路的抗单粒子翻转效应。与非门采用差分串联电压开关逻辑结构进行加固,提高组合逻辑电路的抗单粒子瞬态效应。本发明具有高共模抑制比、抗单粒子效应等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 粒子 加固 分频器 电路 | ||
【主权项】:
1.一种抗单粒子加固的分频器电路,其特征在于,所述分频器包括:两个加固D触发器和两个加固与非门;第一加固D触发器的Q和QN端分别与第一加固与非门的AN和A端相连,第一加固与非门的B和BN端分别与MC和MCN端相连,第一加固与非门的AND和NAND端分别与第二加固与非门的AN和A端相连,第二加固与非门的AND和NAND端分别与第二加固D触发器的D和DN端相连,第二加固D触发器的Q和QN端分别与第二加固与非门的B和BN端相连,同时与第一加固D触发器的DN和D端相连,第一加固D触发器与第二加固D触发器的CK端与输入信号FIN相连,第二加固D触发器的Q端与输出信号FOUT相连;当MC为低电平,MCN为高电平时,所述分频器工作在二分频模式;当MC为高电平,MCN为低电平时,所述分频器工作在三分频模式;所述加固D触发器包括时钟输入电路,DCVSL型主锁存器,DCVSL型从锁存器,Quatro型数据存储单元,和Muller‑C型输出缓冲单元,其中DCVSL型主锁存器和DCVSL型从锁存器,以及Muller‑C型输出缓冲单元均采用空间冗余技术进行加固;所述加固与非门为DCVSL型与非门,降低单粒子脉冲在传播过程中的展宽;所述分频器为全差分结构,具有较高的电源抑制比和抗噪声性能;所述分频器同时对时序逻辑电路D触发器,以及组合逻辑电路与非门进行抗单粒子加固,具有较强的抗辐射性能。
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