[发明专利]包含非自对准水平和垂直控制栅极的存储器单元有效
| 申请号： | 201810150720.4 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108198816B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | F·拉罗萨;S·尼埃尔;J·德拉洛;A·雷尼耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11524;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/788;G11C16/04;G11C16/14;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑振 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种包含非自对准水平和垂直控制栅极的存储器单元，其包括在被制作于衬底中的沟槽中延伸的垂直选择栅极、在衬底上方延伸的浮置栅极、以及在浮置栅极上方延伸的水平控制栅极，其中浮置栅极还在垂直选择栅极的一部分上方延伸非零重叠距离。主要应用于制作可由热电子注入编程的分栅式存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 对准 水平 垂直 控制 栅极 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，包括：垂直选择栅极，位于衬底中的沟槽中；在所述衬底上的浮置栅极，所述浮置栅极具有在所述衬底的第一表面下延伸的突起，其中所述垂直选择栅极包括侧壁，并且所述突起沿着所述侧壁延伸；以及在所述浮置栅极上的水平控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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