[发明专利]一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810148525.8 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108265280A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 丁红;钟福新;高云鹏;黎燕;莫德清 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C23C18/02 | 分类号： | C23C18/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法。将CoC4H6O4（摩尔比nCo：nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液。将反应溶液置于高压反应釜中，插入规格为5.0 cm×1.5 cm×0.1 cm的ITO导电玻璃，在烘箱中反应，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3583 V的Co/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 反应溶液 制备 烘箱 高压反应釜 光电性能 仪器要求 反应釜 光电压 摩尔比 转入 | ||
【主权项】：
1.一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：称取0.0000~0.0150 g 的CoC4H6O4溶于10.00 mL 浓度为0.10~0.40 mol/L的 Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，控制摩尔比nCo：nCu=0.0%~3.0%；加入0.50 mL浓度为0.027~0.227 mmol/L的十六烷基三甲基溴化铵溶液、5.00 mL浓度为 0.05~0.30 mol/L的NaOH溶液和0.0975~0.0985 g 的Zn粉，搅拌均匀后立即插入规格为5.0 cm×1.5 cm×0.1 cm 的ITO导电玻璃，并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子，将反应釜置于140 ~200 ℃的烘箱中反应4~10 小时，关闭电源，待温度降至室温；从反应釜中取出ITO导电玻璃，经二次蒸馏水反复冲洗、自然晾干，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3583V的Co/Cu2O纳米薄膜。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
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C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
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