[发明专利]一种氮化硅-聚酰亚胺复合介质的MIM电容器及制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅‑聚酰亚胺复合介质的MIM电容器及其制作方法，通过在电容器的上、下极板之间设置氮化硅‑聚酰亚胺复合介质结构，采用第一氮化硅层定义电容器面积，第二氮化硅层定义电容器上下极板间距，同时采用聚酰亚胺填覆凹槽，一方面提高了抵御水汽侵蚀能力，解决了电容器在温湿度偏压(THB)/偏压高加速应力测试(BHAST)等可靠性测试中失效的问题，另一方面降低了高度差导致的第二金属跨区断裂风险，增强了上极板导电能力和耐击穿能力，提高了整体性能，可运用于所有HBT MMIC上。

主权项

1.一种氮化硅‑聚酰亚胺复合介质的MIM电容器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)对半导体衬底进行隔离处理；2)于衬底上沉积第一金属，蚀刻第一金属形成分隔的电容下极板和连线层；3)沉积厚度为的第一氮化硅层，蚀刻第一氮化硅层于电容下极板上形成用于定义电容器面积的窗口；4)沉积厚度为的第二氮化硅层，第二氮化硅层于所述窗口内形成电容的介质层并定义电容器上下极板间距；5)形成聚酰亚胺层，聚酰亚胺层填覆电容下极板和连线层之间的凹槽；6)沉积第二金属形成电容上极板。