[发明专利]一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法有效
| 申请号： | 201810110030.6 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108315702B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘海;高劲松;王笑夷;刘震 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 44316 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵勍毅 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供的平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置及方法，在溅射阴极和工件盘之间增加具有孔阵列的挡板，孔阵列在不同位置设置不同的孔径，改变一定等离子体刻蚀速率时的有效沉积面积，达到对等离子体在工件表面投影面积大小的精确控制，能快速、精确的实现磁控溅射膜厚均匀性的修正，实现对沉积区域膜厚均匀性的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射阴极 镀膜均匀性 膜厚均匀性 调整装置 平面矩形 孔阵列 等离子体 等离子体刻蚀 挡板 沉积区域 磁控溅射 工件表面 溅射阴极 有效沉积 工件盘 投影 修正 | ||
【主权项】：
1.一种平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整方法，其特征在于，应用于平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置，所述平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整装置包括：/n溅射阴极、与所述溅射阴极平行设置的用于放置工件的工件盘以及设置在所述溅射阴极和所述工件盘之间的挡板，所述挡板的面积大于等于所述溅射阴极在所述工件盘上的投影区域的面积，所述挡板上设有用于等离子体透过的孔阵列，所述孔阵列至少具有沿所述工件盘的径向方向对应排列且间隔设置的多个孔，所述多个孔的孔径不同，所述溅射阴极通过所述挡板上的孔阵列对所述工件盘上的工件进行溅射镀膜，并通过所述挡板不同位置处孔的孔径改变一定等离子体刻蚀速率时的有效沉积面积以控制沉积区域膜厚均匀性；/n所述平面矩形磁控溅射阴极镀膜均匀性调整方法包括：/n利用溅射阴极对工件盘上的工件进行溅射沉积薄膜，得到沿径向的第一膜层厚度分布值；/n根据所述第一膜层厚度分布值、目标膜层厚度分布值和孔间距的第一对应关系确定孔径直径；/n在所述溅射阴极和所述工件盘之间加装挡板进行溅射实验，获得第二膜层厚度分布值；/n根据所述孔径直径、所述目标膜层厚度分布值和所述第二膜层厚度分布值的第二对应关系对所述孔径直径进行修正得到目标孔径直径；/n在所述挡板上形成具有所述目标孔径直径的孔阵列，并利用所述孔阵列对工件进行溅射沉积薄膜；/n所述根据所述第一膜层厚度分布值、目标膜层厚度分布值和孔间距的第一对应关系确定孔径直径，包括：/n根据所述第一膜层厚度分布值t
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